$5\,\mu F$ કેપેસીટન્સ અને $6\, cm$ પ્લેટ સેપરેશન ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $1\, V$ ની બેટરી સાથે જોડીને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $4\, cm$ જાડાઈ ધરાવતું ડાયલેક્ટ્રિક મૂકવામાં આવે છે. બેટરીમાંથી કેપેસીટરમાં વહેતો વધારાનો ચાર્જ ........$\mu C$ છે.

$A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે ધાતુની પ્લેટો વચ્ચે હવા રાખીને એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,$C_1$ અને $C_2$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટર બનાવવા માટે પ્લેટોની વચ્ચે $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. જો બે કેપેસિટરનું અસરકારક કેપેસિટન્સ $C^{\prime}$ હોય અને શરૂઆતનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો $\frac{C^{\prime}}{C}$ ની કિંમત શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $5\,\mu F$ છે. જ્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે કાચની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેનો પોટેન્શિયલ મૂળ મૂલ્યના $1/8$ ગણો થઈ જાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે કેપેસિટર $C_1$ અને $C_2$ ને બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. $C_1$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા હવાથી ભરેલી છે અને $C_2$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરેલી છે. કેપેસિટર પરના વિદ્યુતભારો $Q_1$ અને $Q_2$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $9 \ pF$ છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. એક ડાયલેક્ટ્રિકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 6$ અને જાડાઈ $\frac{d}{3}$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 12$ અને જાડાઈ $\frac{2d}{3}$ છે. હવે કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ ......... $pF$ છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને તેમની વચ્ચે હવા માધ્યમ તરીકે છે. $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે જેથી કેપેસીટન્સમાં $50 \%$ નો વધારો થાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબની જાડાઈ કેટલી હશે?